研究机构TECHCET最近的预测，用于ALD/CVD2022年前驱体材料市场规模将达到8.35亿美元，比2021年增长近13%。

　　该机构还预测，尽管受外部环境影响，2023年市场增长率将略有放缓，但随着先进的工艺逻辑和存储设备需求的不断释放，市场仍将保持长期增长弹性(HfO2)将继续作为逻辑器件栅极高K材料，钨(WF6)增长来自3DNAND钴前驱体消费的驱动因素是20纳米以下逻辑节点的增长高于旧节点，以及在附加金属层中的应用。

　　TECHCET总裁/CEOLitaShon-Roy表示，“总的来说，由于预期的强劲增长，2021年至2026年前驱体市场复合年增长率将接近9%。虽然我们看到俄罗斯钴前体供应中断，但这不会影响到2026年预计将达到11亿美元的整体市场”。

　　该机构还指出，设备制造商正在积极寻找更具成本效益的解决方案，这将进一步增加CVD尤其是ALD工艺材料的应用，改进设备的未来技术，将促进新前体的发展，围绕工艺材料的应用，改进设备的未来技术ALD沉积的新材料有许多挑战需要解决。薄膜均匀性、沉积覆盖率和完整性是满足可制造性和产量要求的前提。过去五年来，高选择性沉积越来越受到关注。